Yangiliklar

Diyotning musbat bosimi tushishi asosan o'zgarmaydi

Apr 11, 2018 Xabar QOLDIRISH

(Silikon trubasi uchun 0,7 v, germaniya quvurlari uchun 0,3v).

Ijobiy xarakterli elektron platada, diodaning ijobiy qutbi yuqori potentsial uchiga ulanadi, salbiy qutb pastki potentsial uchiga ulanadi, diod o'tishga olib keladi, bu ulanish rejimi oldinga siljish deb ataladi. Shuni ta'kidlash kerakki, diodaning har ikki tomoniga tatbiq etilgan oldinga kuchlanish juda kam bo'lganida, diyot hali to'g'ri kelmaydi va diode orqali old oqim juda zaif. Faqatgina oldingi kuchlanish ma'lum bir qiymatga ("pol qiymatining" deb nomlanadi, germanyum trubkasi taxminan 0,2v ni tashkil qiladi va silikon trubkasi taxminan 0,6v ni tashkil etganda) diyot to'g'ridan-to'g'ri bog'liq bo'lishi mumkin. Diyotning har ikki tomonidagi kuchlanish asosan o'zgarmagan (germaniya trubkasi taxminan 0.3v va silikon trubkasi taxminan 0.7v), bu diodaning "musbat bosim pasayishi" deb ataladi.

Elektron platada teskari xarakterli xususiyat, anodning past kuchlanishli tomonidagi diod, yuqori kuchlanishli tomonda katod, endi diyot orqali deyarli hech qanday oqim yo'qligi, diod davlat tomonidan, teskari yo'nalishda tanilgan, ulanish usuli. Diyotning teskari tarafida bo'lsa, qochoq oqim deb nomlanadigan diode orqali oqib chiqadigan zaif teskari oqim bo'ladi. Diyotning har ikki tomonidagi teskari kuchlanish ma'lum bir qiymatga ko'tarilganda, teskari oqim keskin kuchayadi va diod diyotning parchalanishi deb ataladigan bir yo'nalishli uzatish xususiyatini yo'qotadi.


So'rov yuborish