Ilg'or ob'ektlar samarali ishlab chiqarish Ommaviy tushuncha: P va G ning ko'pchilik qismi va ozchilikni tashuvchisi mavjud, ko'pchilikning tashuvchisi sifatida hozirgi R, bekor emas va elektron uchun emas, elektr energiyasi uchun muvozanatga erishish va ijobiy elektr energiyasi bilan bog'langan paytda ijobiy harakat elektr o'tkazuvchanlik elektr energiyasini oqimga aylantirsa, elektr oqimi to'xtab qolsa, elektr oqimi to'xtab qoladi.
Kristalli diod p-tipli yarim o'tkazgich va n-tip yarim Supero'tkazuvchi tomonidan yaratilgan, interfeysning har ikki tomonida bo'shliq zaryad qatlamini tashkil etuvchi pn aloqasi va o'z-o'zidan qurilgan elektr maydoni qurilgan. Tashqi kuchlanish bo'lmaganida, pn aloqasi va o'z-o'zidan qurilgan elektr maydon oralig'idagi tashuvchining kontsentratsiyasining farqidan kelib chiqadigan oqim oqimi elektr muvozanat holatiga teng. Tashqi voltaj o'chirilganda, tashqi elektr maydon va o'z-o'zidan qurilgan elektr maydoni o'rtasidagi ta'sir o'tkazish tashuvchining difüzyon oqishini oshiradi va old oqimga sabab bo'ladi. Agar teskari kuchlanish kayfi mavjud bo'lsa, tashqi elektr maydon va o'z-o'zidan qurilgan elektr maydonini yanada kuchaytiradi va teskari tomonlama kuchlanishdan mustaqil bo'lgan teskari to'yingan oqim I0 ma'lum bir teskari kuchlanish oralig'ida hosil bo'ladi. Etarlicha teskari kuchlanish bilan birlashganda, kosmik zaryadlanadigan qatlamdagi pn aloqasi elektr maydoni zichligi tashuvchining ko'payish jarayonining kritik qiymatiga yetib boradi, ko'plab elektron teshik juftini ishlab chiqaradi, diyot buzilishi fenomenini deyiladi
Foydalaniladigan yarimo'tkazgich materiallariga ko'ra, germanium diodlariga (Ge tubulalari) va silikon diodalarga (Si tubulalariga) bo'lingan diodalarning ko'p turlari mavjud. FOYDALANILADIGAN FOYDALANUVChILAR UChUN FOYDALANUVChILAR UChUN FOYDALANUVChILAR UCHUN TOMONIDAN FOYDALANUVCHI QO'LLAB-QUVVATLAShTIRISh DASTURI DIODI, REKLIFIJI DIOIDI, STID DIOIDI, DASTURLI DIDA, YO'NALISh DIO'QI, SHOTTO DIO'LI, diod, sirt aloqa diyoti va tekislangan diod. Nokta-kontaktli diyot - yarim Supero'tkazuvchilar gofret yuzasida juda porloq va toza, puls quvvati bilan juda nozik bir sim bosim bo'lib, sim bilan birga chinni sinterlash uchun pinli birikma hosil qiladi. Nuqta aloqa tufayli, radio chastotasi kabi yuqori chastotali kichik elektr oqimlari uchun mos bo'lgan kichik oqim (bir necha o'nlab miliampere) ruxsat berilmaydi. Yuzaki kontaktli diodning "PN birikmasi" katta va katta oqimga (bir necha dan bir necha o'nlab) imkon beradi, bu asosan o'zgaruvchan tokni to'g'ridan-to'g'ri oqim "rektifer" devoriga aylantirish uchun ishlatiladi. Planar diod - bu faqat katta oqimdan o'tishi mumkin emas, shuningdek, kalitlarga, pulslarga va yuqori chastotali davrlarda ishlatiladigan barqaror va ishonchli ishlashga ega bo'lgan maxsus silikon diod.